APT75GP120J

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Moduli IGBT

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli di silicio IGBT

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1.2 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

3.3 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

128 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Pd - Dissipazione di potenza:

543 W

Pacchetto/custodia:

SOT-227-4

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.6 mm

Lunghezza:

38.2 mm

Intervallo operativo di temperatura:

- 55 C to + 150 C

Larghezza:

25.4 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Stile di montaggio:

Montaggio su telaio

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Tipologia di prodotto:

Moduli IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

IGBT

Nome depositato:

POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP

Unità di peso:

1.058219 oz

Tags

APT75GP120J, APT75GP, APT75G, APT75, APT7, APT