NTP8G202NG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

GaN

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

350 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.6 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

18 V

Qg - Carica cancello:

6.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

65 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

9.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.2 ns

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

NTP8, NTP