2N1486

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-8-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

55 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

12 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

750 mV

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

100

Confezione:

Vassoio

Marca:

Microchip / Microsemi

Guadagno base/collettore DC hfe min:

35

Pd - Dissipazione di potenza:

1.75 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

2N1486, 2N148, 2N14, 2N1