SBC847BDW1T3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

250 mV

Corrente massima del collettore CC:

100 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BC847BDW1

Guadagno di corrente CC hFE Max:

450 at 2 mA, 5 V

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at 2 mA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

380 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

SBC847BD, SBC847B, SBC847, SBC84, SBC8, SBC