FQPF19N10

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220FP-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

13.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

100 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

38 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

QFET

Confezione:

Tubo

Altezza:

16.07 mm

Lunghezza:

10.36 mm

Serie:

FQPF19N10

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

4.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

10 S

Tempo di caduta:

65 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

150 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.5 ns

Parte # Alias:

FQPF19N10_NL

Unità di peso:

0.080072 oz

Tags

FQPF19N1, FQPF19, FQPF1, FQPF, FQP