TPH3R003PL,LQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOP-Advance-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

134 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

50 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

90 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.95 mm

Lunghezza:

5 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

5.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

36 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Tags

TPH3R0, TPH3R, TPH3, TPH