SSM6N58NU,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

UDFN-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

112 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.75 mm

Lunghezza:

2 mm

Serie:

SSM6N58

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

2 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

26 ns

Unità di peso:

0.000300 oz

Tags

SSM6N58, SSM6N5, SSM6N, SSM6, SSM