NTA4151PT1H

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-75-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

760 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

1.8 V

Qg - Carica cancello:

2.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

301 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

NTA4151P

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

0.4 S

Tempo di caduta:

20.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

29 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns

Unità di peso:

0.000097 oz

Tags

NTA4151PT, NTA4151P, NTA4151, NTA41, NTA4, NTA