2SCR512PFRAT100

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

200 mV

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

320 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

500

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

2 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2SCR512PFRA

Tags

2SCR512P, 2SCR512, 2SCR51, 2SCR5, 2SCR, 2SC