KSA709CGBU

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 150 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 160 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 8 V

Corrente massima del collettore CC:

0.7 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

50 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

400

Altezza:

4.58 mm

Lunghezza:

4.58 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

3.86 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

- 0.7 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

70

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.008466 oz

Tags

KSA709C, KSA709, KSA70, KSA7, KSA