MMDT2227Q-7-F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

40 V, - 60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

75 V, - 60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V, - 1.6 V

Corrente massima del collettore CC:

600 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MMDT2227Q

Guadagno di corrente CC hFE Max:

300

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

600 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

100

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

MMDT2227, MMDT22, MMDT2, MMDT, MMD