STD9NM40N

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

400 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

790 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

14 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

MDMesh

Confezione:

Bobina

Serie:

STD9NM40N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

8.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

25 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

STD9NM, STD9N, STD9, STD