IMX25T110

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SMT-6

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

25 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

50 mV

Corrente massima del collettore CC:

0.3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

35 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

IMX2

Guadagno di corrente CC hFE Max:

2700

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

300 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

820

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

IMX25

Tags

IMX25, IMX2, IMX