TK7R7P10PL,RQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DPAK-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

79 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

44 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

93 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

TK7R7P10PL

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Tempo di caduta:

18 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

62 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

22 ns

Tags

TK7