QS6Z5TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-457T-6

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

130 mV, - 200 mV

Corrente massima del collettore CC:

1 A, - 1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

360 MHz, 400 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

450 at 50 mA, 2 V, 450 at - 50 mA, - 2 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

1 A, - 1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

180 at 50 mA, 2 V, 180 at - 50 mA, - 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.25 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

QS6Z5

Tags

QS6