2N4261UB/TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LCC-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 15 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 15 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 4.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.15 V

Corrente massima del collettore CC:

- 30 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

150 at - 10 mA, - 1 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Microchip / Microsemi

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20 at - 30 mA, - 1 V

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

100

sottocategoria:

transistor

Tags

2N4261, 2N426, 2N42, 2N4