IPB180P04P4L02ATMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PG-TO-263-7

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

180 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

286 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

10 mm

Serie:

XPB180P04

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

9.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

119 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

28 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

146 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

32 ns

Parte # Alias:

IPB180P04P4L-02 IPB18P4P4L2XT SP000709460

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IPB180P04P4L, IPB180P04P4, IPB180P, IPB18, IPB1, IPB