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RN2103MFV,L3F

RN2103MFV,L3F
Mfr. #:
RN2103MFV,L3F
Produttore:
Toshiba
Descrizione:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
RN2103MFV,L3F Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - Pre-polarizzati
RoHS:
Y
Configurazione:
Separare
Polarità del transistor:
PNP
Resistenza di ingresso tipica:
22 kOhms, 22 kOhms
Rapporto resistore tipico:
1
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
SOT-723-3
Guadagno base/collettore DC hfe min:
70
Frequenza operativa massima:
250 MHz
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
- 50 V
Corrente continua del collettore:
- 100 mA
Pd - Dissipazione di potenza:
150 mW
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Serie:
RN2103MF
Confezione:
Bobina
Emettitore-tensione di base VEBO:
- 10 V
Marca:
Toshiba
Numero di canali:
1 Channel
Tipologia di prodotto:
BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati
Quantità confezione di fabbrica:
8000
sottocategoria:
transistor
Tags
RN2103M, RN2103, RN210, RN21, RN2
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Packaging Boxes
***el Electronic
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
***et
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin VESM Embossed T/R
***i-Key
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Immagine Parte # Descrizione
RN2103MFV(TPL3)

Mfr.#: RN2103MFV(TPL3)

OMO.#: OMO-RN2103MFV-TPL3--123

 Bipolar Transistors - Pre-Biased -50V -100mA 22x22Kohms
RN2103ACT

Mfr.#: RN2103ACT

OMO.#: OMO-RN2103ACT-1190

 Nuovo e originale
RN2103CT

Mfr.#: RN2103CT

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RN2103(T5LFT)CT-ND

Mfr.#: RN2103(T5LFT)CT-ND

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RN2103ACT(TPL3)CT-ND

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RN2103ACT(TPL3)TR-ND

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RN2103CT(TPL3)DKR-ND

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OMO.#: OMO-RN2103F-1190

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