IRF250P224

IRF250P224
Mfr. #:
IRF250P224
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET IFX OPTIMOS
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IRF250P224 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
IRF250P224 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Infineon
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-247AC-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
250 V
Id - Corrente di scarico continua:
96 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
12 mOhms
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
2 V
Vgs - Tensione Gate-Source:
20 V
Qg - Carica cancello:
203 nC
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:
313 W
Configurazione:
Separare
Modalità canale:
Aumento
Nome depositato:
StrongIRFET
Confezione:
Tubo
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Marca:
Tecnologie Infineon
Transconduttanza diretta - Min:
112 S
Tempo di caduta:
58 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
70 ns
Quantità confezione di fabbrica:
400
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
77 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
25 ns
Parte # Alias:
SP001582438
Unità di peso:
0.211644 oz
Tags
IRF250, IRF25, IRF2, IRF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 250 V 12 mOhm 135 nC StrongIRFET™ IR Mosfet - TO-247AC
***ical
Trans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 250V 96A 3TO-247AC
***i-Key
MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC
***ark
Mosfet, N-Ch, 250V, 128A, 556W, To-247Ac; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:128A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(On):0.009Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes
***ineon
Target Applications: UPS and Inverter applications Half-bridge and full-bridge topologies Resonant mode power supplies DC/DC and AC/DC converters OR-ing and redundant power switches Brushed and BLDC Motor drive applications Battery powered circuits
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. MOSFET, N-CH, 250V, 128A, 556W, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:128A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:556W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:StrongIRFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
***nell
MOSFET CAN N, 250V, 128A, 556W, TO-247AC; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:128A; Tensione Drain Source Vds:250V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.009ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:4V; Dissipazione di Potenza Pd:556W; Modello Case Transistor:TO-247AC; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:StrongIRFET Series; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (27-Jun-2018)
StrongIRFET™ Power MOSFETs
Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family are optimized for low RDS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability. 
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IRF250P224
DISTI # V99:2348_17072165
Infineon Technologies AGIR MOSFET - StrongIRFET¿212
  • 250:$9.4070
  • 100:$9.9060
  • 25:$11.0840
  • 10:$11.5920
  • 1:$12.5200
IRF250P224
DISTI # IRF250P224-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 250V 96A TO247AC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
368In Stock
  • 400:$11.6359
  • 10:$15.0140
  • 1:$16.5200
IRF250P224
DISTI # 29721879
Infineon Technologies AGIR MOSFET - StrongIRFET¿212
  • 100:$9.9060
  • 25:$11.0840
  • 10:$11.5920
  • 1:$12.5200
IRF250P224
DISTI # 26393585
Infineon Technologies AGIR MOSFET - StrongIRFET¿44
  • 250:$10.1568
  • 100:$10.6848
  • 25:$12.1248
  • 10:$12.6528
  • 2:$13.7568
IRF250P224
DISTI # 30611032
Infineon Technologies AGIR MOSFET - StrongIRFET¿10
  • 10:$13.0050
  • 5:$13.8975
  • 2:$16.7025
IRF250P224
DISTI # IRF250P224
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 250V 96A 3TO-247AC (Alt: IRF250P224)
RoHS: Compliant
Min Qty: 400
Asia - 0
    IRF250P224
    DISTI # IRF250P224
    Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 250V 96A 3TO-247AC - Rail/Tube (Alt: IRF250P224)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 400
    Container: Tube
    Americas - 0
    • 400:$7.7900
    • 800:$7.4900
    • 1600:$7.2900
    • 2400:$6.9900
    • 4000:$6.8900
    IRF250P224
    DISTI # 726-IRF250P224
    Infineon Technologies AGMOSFET IFX OPTIMOS
    RoHS: Compliant
    484
    • 1:$14.3300
    • 10:$13.1800
    • 25:$12.6300
    • 100:$11.1300
    • 250:$10.5800
    IRF250P224
    DISTI # IRF250P224
    Infineon Technologies AGTransistor: N-MOSFET,unipolar,250V,68A,313W,TO247AC5
    • 1:$15.2700
    • 3:$13.7700
    • 10:$12.1700
    • 25:$10.9400
    IRF250P224
    DISTI # C1S322000671490
    Infineon Technologies AGIR MOSFET - StrongIRFET10
    • 10:$10.2000
    • 5:$10.9000
    • 1:$13.1000
    Immagine Parte # Descrizione
    IR2110PBF

    Mfr.#: IR2110PBF

    OMO.#: OMO-IR2110PBF

    Gate Drivers Hi&Lw Sd Drvr All HiVlt Pins 1 Sd
    SMAJ33A-Q

    Mfr.#: SMAJ33A-Q

    OMO.#: OMO-SMAJ33A-Q

    TVS Diodes / ESD Suppressors 33volts 400W 5% Uni-Dir. AEC-Q101
    LTM8055EY-1#PBF

    Mfr.#: LTM8055EY-1#PBF

    OMO.#: OMO-LTM8055EY-1-PBF

    Switching Voltage Regulators 36VIN, 8.5A Buck-Boost Module Reg
    10144518-041802LF

    Mfr.#: 10144518-041802LF

    OMO.#: OMO-10144518-041802LF

    Board to Board & Mezzanine Connectors Plug, P1, 40Pos
    10144518-044802LF

    Mfr.#: 10144518-044802LF

    OMO.#: OMO-10144518-044802LF

    Board to Board & Mezzanine Connectors Plug, P4, 40Pos
    SF-1206FP300-2

    Mfr.#: SF-1206FP300-2

    OMO.#: OMO-SF-1206FP300-2

    Surface Mount Fuses 3A Fast Acting 1206 Singlfuse
    IR2110PBF

    Mfr.#: IR2110PBF

    OMO.#: OMO-IR2110PBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

    Gate Drivers Hi&Lw Sd Drvr All HiVlt Pins 1 Sd
    10144517-043802LF

    Mfr.#: 10144517-043802LF

    OMO.#: OMO-10144517-043802LF-AMPHENOL-ICC

    CONN, STACKING, RCPT, 40POS, 2ROW, 0.8MM
    CRCW06038K25FKEAC

    Mfr.#: CRCW06038K25FKEAC

    OMO.#: OMO-CRCW06038K25FKEAC-VISHAY-DALE

    D11/CRCW0603-C 100 8K25 1% ET1
    Disponibilità
    Azione:
    Available
    Su ordine:
    2000
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di IRF250P224 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    8,62 USD
    8,62 USD
    10
    7,79 USD
    77,90 USD
    25
    7,43 USD
    185,75 USD
    100
    6,45 USD
    645,00 USD
    250
    6,16 USD
    1 540,00 USD
    500
    5,61 USD
    2 805,00 USD
    1000
    5,18 USD
    5 180,00 USD
    Iniziare con
    Prodotti più recenti
    Top