MMJT9435T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

45 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.155 V

Corrente massima del collettore CC:

3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

110 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Altezza:

1.57 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.5 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

125

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.003951 oz

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