STGP6M65DF2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

650 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.55 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

12 A

Pd - Dissipazione di potenza:

88 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

STGP6M65DF2

Corrente continua del collettore Ic Max:

12 A

Marca:

STMicroelectronics

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 250 uA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

STGP6, STGP, STG