NP90N04VUG-E1-AY

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Renesas Elettronica

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

90 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

90 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

105 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Renesas Elettronica

Transconduttanza diretta - Min:

51 S

Tempo di caduta:

11 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

65 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

32 ns

Unità di peso:

0.011993 oz

Tags

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