RDN080N25FU6

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

250 V

Id - Corrente di scarico continua:

8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

380 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

4 V

Qg - Carica cancello:

15 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

35 W

Configurazione:

Separare

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tipologia di prodotto:

MOSFET

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

RDN080N25

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

RDN080N, RDN08, RDN0, RDN