STS9NF30L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

15 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

18 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.65 mm

Lunghezza:

5 mm

Serie:

STS9NF30L

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconduttanza diretta - Min:

13 S

Tempo di caduta:

24 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

80 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

38 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Unità di peso:

0.002998 oz

Tags

STS9NF, STS9N, STS9, STS