2N4298 PBFREE

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-66-2

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

350 V

Collettore-tensione di base VCBO:

500 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.5 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

20 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Serie:

2N42

Guadagno di corrente CC hFE Max:

75 at 50 mA, 10 V

Confezione:

Tubo

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

25 at 50 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

20 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

transistor

Tags

2N429, 2N42, 2N4