STP1N105K3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.05 kV

Id - Corrente di scarico continua:

1.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

13 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

SuperMESH

Confezione:

Tubo

Serie:

STP1N105K3

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

50 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

27 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns

Unità di peso:

0.011640 oz

Tags

STP1, STP