MT3S20P(TE12L,F)

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

Bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Guadagno base/collettore DC hfe min:

100

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

12 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

1.5 V

Corrente continua del collettore:

80 mA

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-62-3

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

7 GHz

Potenza di uscita:

1.8 W

Marca:

Toshiba

Corrente massima del collettore CC:

80 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

400 mW

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Tags

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