BSS123W-7-F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

170 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

BSS123W

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

Transistor ad effetto di campo in modalità di miglioramento

Larghezza:

1.35 mm

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

0.08 S, 0.37 S

Tempo di caduta:

8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

BSS123W-7, BSS123W, BSS123, BSS12, BSS1, BSS