DMPH6050SK3Q-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

23.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

70 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

25 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.9 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Serie:

DMPH6050

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

29.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

49.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.3 ns

Unità di peso:

0.011993 oz

Tags

DMPH605, DMPH60, DMPH6, DMPH, DMP