MMBT2131T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-74-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1 V

Corrente massima del collettore CC:

0.7 A

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MMBT2131

Altezza:

0.94 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

0.7 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

150

Pd - Dissipazione di potenza:

342 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

MMBT2131, MMBT21, MMBT2, MMBT, MMB