CG2H80030D-GP4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Cree, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN

Guadagno:

17 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 10 V to 2 V

Id - Corrente di scarico continua:

0.8 A

Potenza di uscita:

6 W

Tensione massima della porta di drenaggio:

-

Temperatura di esercizio minima:

-

Temperatura massima di esercizio:

-

Pd - Dissipazione di potenza:

-

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Morire

Confezione:

Confezione di gel

Applicazione:

-

Configurazione:

Separare

Altezza:

100 um

Lunghezza:

840 um

Frequenza operativa:

10 MHz to 18 GHz

Intervallo operativo di temperatura:

-

Prodotto:

GaN HEMT

Larghezza:

800 um

Marca:

Wolfspeed / Cree

Tensione di interruzione gate-source:

-

Classe:

-

Kit di sviluppo:

-

Tempo di caduta:

-

NF - Figura di rumore:

-

P1dB - Punto di compressione:

-

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.3 Ohms

Ora di alzarsi:

-

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

transistor

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

-

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 3 V

Tags

CG2H800, CG2H8, CG2H, CG2