BSS806NE H6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

41 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

300 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

1.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

BSS806

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

9 S

Tempo di caduta:

3.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.5 ns

Parte # Alias:

BSS806NEH6327XTSA1 SP000999336

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

BSS806NEH, BSS806NE, BSS806, BSS80, BSS8, BSS