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RGT60TS65DGC11

RGT60TS65DGC11
Mfr. #:
RGT60TS65DGC11
Produttore:
ROHM Semiconductor
Descrizione:
IGBT Transistors 650V 30A IGBT Stop Trench
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
RGT60TS65DGC11 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
RGT60TS65DGC11 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Semiconduttore ROHM
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
RoHS:
Y
Tecnologia:
si
Pacchetto/custodia:
TO-247-3
Stile di montaggio:
Foro passante
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:
1.65 V
Tensione massima dell'emettitore di gate:
30 V
Corrente continua del collettore a 25 C:
55 A
Pd - Dissipazione di potenza:
194 W
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 175 C
Serie:
RGT60TS65D
Confezione:
Tubo
Corrente continua del collettore Ic Max:
55 A
Intervallo operativo di temperatura:
- 40 C to + 175 C
Marca:
Semiconduttore ROHM
Corrente continua del collettore:
30 A
Corrente di dispersione gate-emettitore:
+/- 200 nA
Tipologia di prodotto:
Transistor IGBT
Quantità confezione di fabbrica:
450
sottocategoria:
IGBT
Parte # Alias:
RGT60TS65D
Unità di peso:
1.340411 oz
Tags
RGT60TS65DG, RGT60T, RGT6, RGT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
***nell
IGBT, SINGLE, 650V, 55A, TO-247N-3
***ark
Igbt, Single, 650V, 55A, To-247N-3; Dc Collector Current:55A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.65V; Power Dissipation Pd:194W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:650V; Transistor Case Style:to-247N; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes
Field Stop Trench IGBTs
ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy saving high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit withstand time, and built-in very fast & soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioner, welder, and general inverters for industrial use.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
RGT60TS65DGC11
DISTI # RGT60TS65DGC11-ND		ROHM SemiconductorIGBT 650V 55A 194W TO-247N
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		260In Stock
  • 2500:$1.5750
  • 1000:$1.6538
  • 500:$1.9609
  • 250:$2.1853
  • 100:$2.4216
  • 25:$2.6580
  • 10:$2.9530
  • 1:$3.3100
RGT60TS65DGC11
DISTI # RGT60TS65DGC11		ROHM SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 3-Pin TO-247N Tube - Rail/Tube (Alt: RGT60TS65DGC11)
RoHS: Compliant
Min Qty: 450
Container: Tube		Americas - 0
  • 450:$1.6900
  • 900:$1.5900
  • 1800:$1.4900
  • 2700:$1.3900
  • 4500:$1.3900
RGT60TS65DGC11
DISTI # 755-RGT60TS65DGC11		ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 30A IGBT Stop Trench
RoHS: Compliant		306
  • 1:$2.9800
  • 10:$2.5400
  • 100:$2.2000
  • 250:$2.0900
  • 500:$1.8700
  • 1000:$1.5800
  • 2500:$1.5000
  • 5000:$1.4400
RGT60TS65DGC11ROHM Semiconductor*** FREE SHIPPING ORDERS OVER $100 ***24
  • 18:$3.9000
  • 6:$4.2900
  • 1:$5.8500
RGT60TS65DGC11
DISTI # IGBT2242		ROHM SemiconductorIGBT650V30A1,65VTO-247
RoHS: Compliant		Stock DE - 0Stock HK - 0Stock US - 0
  • 450:$2.8800
  • 900:$2.7100
  • 1350:$2.6200
  • 1800:$2.4200
RGT60TS65DGC11ROHM SemiconductorRoHS(ship within 1day)30
  • 1:$3.7100
  • 10:$3.0500
  • 50:$2.4500
  • 100:$2.0900
  • 500:$1.9900
  • 1000:$1.9500
RGT60TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 30A IGBT Stop Trench
RoHS: Compliant		Americas -
    RGT60TS65DGC11
    DISTI # 2519783    		ROHM SemiconductorIGBT, SINGLE, 650V, 55A, TO-247N-3
    RoHS: Compliant    		0
    • 500:£1.5800
    • 250:£1.6000
    • 100:£1.6800
    • 10:£1.9400
    • 1:£2.5600
    Immagine Parte # Descrizione
    UJ3D1250ZW

    Mfr.#: UJ3D1250ZW

    OMO.#: OMO-UJ3D1250ZW

    		 Schottky Diodes & Rectifiers 50A - 1200V SiC Schottky Diode Die on tape
    SID1182KQ

    Mfr.#: SID1182KQ

    OMO.#: OMO-SID1182KQ

    		 Gate Drivers 8A, 1200V 75kHz 260ns AEC Q-100
    BC857BTT1G

    Mfr.#: BC857BTT1G

    OMO.#: OMO-BC857BTT1G

    		 Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP
    SCT2H12NZGC11

    Mfr.#: SCT2H12NZGC11

    OMO.#: OMO-SCT2H12NZGC11

    		 MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
    IDW30G65C5XKSA1

    Mfr.#: IDW30G65C5XKSA1

    OMO.#: OMO-IDW30G65C5XKSA1

    		 Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
    GRB066B802BR1

    Mfr.#: GRB066B802BR1

    OMO.#: OMO-GRB066B802BR1

    		 Rocker Switches ON-OFF Rocker LED IP65
    165X16909X

    Mfr.#: 165X16909X

    OMO.#: OMO-165X16909X

    		 D-Sub Backshells 9P SKT CONN COVERED SCREEN CAP
    TTL-232RG-VIP-WE

    Mfr.#: TTL-232RG-VIP-WE

    OMO.#: OMO-TTL-232RG-VIP-WE

    		 USB Cables / IEEE 1394 Cables USB Embedded Serial Specifd Logic Levels
    IDW30G65C5XKSA1

    Mfr.#: IDW30G65C5XKSA1

    OMO.#: OMO-IDW30G65C5XKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3
    GRB066B802BR1

    Mfr.#: GRB066B802BR1

    OMO.#: OMO-GRB066B802BR1-CW-INDUSTRIES

    		 Illuminated Switches Illuminated Rocker Switches ON-OFF Rocker LED IP65
    Disponibilità
    Azione:
    286
    Su ordine:
    2269
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di RGT60TS65DGC11 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    2,98 USD
    2,98 USD
    10
    2,54 USD
    25,40 USD
    100
    2,20 USD
    220,00 USD
    250
    2,09 USD
    522,50 USD
    500
    1,87 USD
    935,00 USD
    1000
    1,58 USD
    1 580,00 USD
    2500
    1,50 USD
    3 750,00 USD
    5000
    1,44 USD
    7 200,00 USD
    A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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