BSS138W H6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

280 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

0.12 S

Tempo di caduta:

8.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

6.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.2 ns

Parte # Alias:

BSS138WH6327XT BSS138WH6327XTSA1 SP000924068

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

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