2N5953

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

N

Tipo di transistor:

JFET

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

15 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 mA

Tensione massima della porta di drenaggio:

30 V

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

360 mW

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Confezione:

Massa

Configurazione:

Separare

Serie:

2N5952

Marca:

Semiconduttore centrale

NF - Figura di rumore:

5 dB

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Rds On - Resistenza Drain-Source:

375 Ohms

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Tags

2N595, 2N59, 2N5