DMN61D9UWQ-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

340 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

5 V

Qg - Carica cancello:

400 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

440 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

200 mS

Tempo di caduta:

8.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.1 ns

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