FDY4001CZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-89-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5 Ohms, 8 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V, 8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

625 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.6 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

1.1 S, 0.7 S

Tempo di caduta:

8 ns, 13 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns, 13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns

Unità di peso:

0.001129 oz

Tags

FDY4, FDY