CG2H30070F-TB2

CG2H30070F-TB2
Mfr. #:
CG2H30070F-TB2
Produttore:
N/A
Descrizione:
RF JFET Transistors Test Board without GaN HEMT
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
CG2H30070F-TB2 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
CG2H30070F-TB2 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Cree, Inc.
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
N
Tipo di transistor:
HEMT
Tecnologia:
GaN
Guadagno:
12 dB
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
120 V
Vgs - Tensione di rottura gate-source:
- 10 V, 2 V
Id - Corrente di scarico continua:
12 A
Potenza di uscita:
85 W
Tensione massima della porta di drenaggio:
28 V
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Stile di montaggio:
Montaggio a vite
Pacchetto/custodia:
CG2H30070F
Confezione:
Massa
Configurazione:
Separare
Frequenza operativa:
0.5 GHz to 3 GHz
Marca:
Wolfspeed / Cree
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
1
sottocategoria:
transistor
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
- 2.8 V
Tags
CG2H, CG2
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CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs
Wolfspeed / Cree CG2H40xx and CG2H30xx GaN HEMTs are high electron mobility transistors operate from 28V rail. The CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer a general purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities of these HEMTs make it ideal for linear and compressed amplifier circuits. The CG2H40xx and CG2H30xx transistors are available in different packages which includes screw down, flange, solder down, pill packages, and 2-lead flange packages. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.Learn more
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
CG2H30070F-TB2
DISTI # CG2H30070F-TB2-ND
WolfspeedRF EVAL DEV KITS ISM
RoHS: Not compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
On Order
  • 1:$862.5000
CG2H30070F-TB2
DISTI # 941-CG2H30070FTB2
Cree, Inc.RF JFET Transistors Test Board without GaN HEMT
RoHS: Not compliant
0
  • 1:$862.5000
CG2H30070F-TB2
DISTI # CG2H30070F-TB2
WolfspeedRF TRANSISTOR TEST FIXTURE
RoHS: Compliant
0
  • 1:$862.5000
Immagine Parte # Descrizione
CG2H30070F

Mfr.#: CG2H30070F

OMO.#: OMO-CG2H30070F

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 Watt
CG2H30070F-TB2

Mfr.#: CG2H30070F-TB2

OMO.#: OMO-CG2H30070F-TB2

RF JFET Transistors Test Board without GaN HEMT
CG2H30070F

Mfr.#: CG2H30070F

OMO.#: OMO-CG2H30070F-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 28V
CG2H30070F-TB2

Mfr.#: CG2H30070F-TB2

OMO.#: OMO-CG2H30070F-TB2-WOLFSPEED

RF EVAL DEV KITS ISM
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