NID6002NT4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

70 V

Id - Corrente di scarico continua:

6.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

210 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

14 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

NID6002N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

660 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

250 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

840 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

96 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

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NID6002N, NID600, NID6, NID