2N6190

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-39-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Corrente massima del collettore CC:

5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

30 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N6190

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 2 A, 2 V

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30 at 2 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

10 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N6190 PBFREE

Tags

2N619, 2N61, 2N6