SI4808DY-T1-GE3

SI4808DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4808DY-T1-GE3
Produttore:
Vishay
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 7.5A 2.0W 22mohm @ 10V
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
SI4808DY-T1-GE3 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
SI4808DY-T1-GE3 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Vishay Siliconix
categoria di prodotto
FET - Array
Serie
PICCOLO PIEDE
Confezione
Nastro e bobina (TR)
Alias ​​parziali
SI4808DY-GE3
Unità di peso
0.017870 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnologia
si
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Numero di canali
2 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
8-SO
Configurazione
Doppio con diodo Schottky
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potenza-Max
1.1W
Tipo a transistor
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
30V
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
-
Funzione FET
Porta livello logico
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
5.7A
Rds-On-Max-Id-Vgs
22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs-th-Max-Id
800mV @ 250μA (Min)
Gate-Carica-Qg-Vgs
20nC @ 10V
Pd-Power-Dissipazione
2 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
7.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
22 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tags
SI4808DY-T, SI4808D, SI4808, SI480, SI48, SI4
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***i-Key
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
SI4808DY-T1-GE3
DISTI # SI4808DY-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.9059
SI4808DY-T1-GE3
DISTI # 781-SI4808DY-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 7.5A 2.0W 22mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
  • 2500:$0.8240
  • 5000:$0.7940
  • 10000:$0.7630
Immagine Parte # Descrizione
SI4808DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4808DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4808DY-T1-GE3

MOSFET 30V 7.5A 2.0W 22mohm @ 10V
SI4808DY-T1-GE3

Mfr.#: SI4808DY-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI4808DY-T1-GE3-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 7.5A 2.0W 22mohm @ 10V
SI4808DY

Mfr.#: SI4808DY

OMO.#: OMO-SI4808DY-1190

MOSFET 30V 7.5A 2W
SI4808DY-T1

Mfr.#: SI4808DY-T1

OMO.#: OMO-SI4808DY-T1-1190

MOSFET 30V 7.5A 2W
SI4808DY-T1-E3

Mfr.#: SI4808DY-T1-E3

OMO.#: OMO-SI4808DY-T1-E3-VISHAY

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
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Available
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1,14 USD
10
1,09 USD
10,87 USD
100
1,03 USD
103,01 USD
500
0,97 USD
486,40 USD
1000
0,92 USD
915,60 USD
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