BSC750N10ND G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDSON-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

13 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

62 mOhms, 62 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

11 nC, 11 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

26 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.27 mm

Lunghezza:

5.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

OptiMOS 2

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

6.5 S, 6.5 S

Tempo di caduta:

3 ns, 3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns, 4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 ns, 13 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns, 9 ns

Parte # Alias:

BSC750N10NDGATMA1 BSC75N1NDGXT SP000359610

Unità di peso:

0.003527 oz

Tags

BSC750N10NDG, BSC750N10ND, BSC75, BSC7, BSC