PSMN8R5-100ESQ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

22.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Qg - Carica cancello:

111 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

263 W

Confezione:

Tubo

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

43 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

35 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

87 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Unità di peso:

0.084199 oz

Tags

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