SSM3J14TTE85LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSM-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

120 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

700 mW

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

SSM3J14

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

29 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

29 ns

Tags

SSM3J14T, SSM3J14, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM