SSM6N7002BFE,LM

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ES6-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.1 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.55 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Serie:

SSM6N7002

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tags

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