RTU002P02T106

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

250 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.85 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Parte # Alias:

RTU002P02

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

RTU002P02T, RTU002, RTU00, RTU0, RTU