STB300NH02L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

24 V

Id - Corrente di scarico continua:

120 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.8 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

300 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.6 mm

Lunghezza:

10.4 mm

Serie:

STP300NH02L

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.35 mm

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

94.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

275 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

138 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

18 ns

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

STB30, STB3, STB