FDMS3604S

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Power-56-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

13 A, 23 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.2 mOhms, 5.8 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.8 V, 2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

21 nC, 47 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.2 W, 2.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

Power Stage PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

6 mm

Serie:

FDMS3604S

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

61 S, 130 S

Tempo di caduta:

2.2 ns, 3.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.5 ns, 4.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns, 31 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.2 ns, 13 ns

Unità di peso:

0.006032 oz

Tags

FDMS360, FDMS36, FDMS3, FDMS, FDM