MW7IC2425NBR1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

E

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Guadagno:

27.7 dB

Potenza di uscita:

25 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-270-WB-16

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Dual

Altezza:

2.64 mm

Lunghezza:

23.67 mm

Frequenza operativa:

2.45 GHz

Serie:

MW7IC2425N

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

9.07 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modalità canale:

Aumento

Sensibile all'umidità:

sì

Pd - Dissipazione di potenza:

25 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.9 V

Parte # Alias:

935319486528

Unità di peso:

0.067454 oz

Tags

MW7IC2425N, MW7IC24, MW7IC2, MW7I, MW7