2N2895

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-18-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

65 V

Collettore-tensione di base VCBO:

120 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.6 V

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120

Confezione:

Borsa di alluminio

Marca:

Microchip / Microsemi

Corrente continua del collettore:

1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

40

Pd - Dissipazione di potenza:

1.8 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

2N289, 2N28, 2N2